サムスン『SSD 840 EVO』シリーズ発表 書き込み速度が大幅に向上

　韓国・ソウルで開催中の『2013 Samsung SSD Global Summit』にて、低価格高性能なSSD『840』シリーズの後継モデル『840 EVO』シリーズが発表されました。

　進化点は、コントローラーがMDXを改良したMEXというモデルに変更され、“ARM Cortex-R4”コアを3基搭載し、クロックを300MHzから400MHzにアップしているという点。また、キャッシュメモリーは512MBから1GBになっています。そのほか、信号処理のアルゴリズムも変更になっているとのこと。スライドでは120GB/250GB/500GB/750GB/1TBを用意。

　以下は120GBモデルのスペックですが、840に比べて順次書き込みが毎秒130MBから410MBと大幅に向上してることが目立ちます。

	840 EVO	840
順次読み込み	毎秒540MB	毎秒530MB
順次書き込み	毎秒410MB	毎秒130MB
ランダム読み込み	9万4000IOPS	8万6000IOPS
ランダム書き込み	3万5000IOPS	3万2000IOPS

 

　日本では、8月上旬に発売を開始するとのこと。新たな定番になりそうな製品です。

　さらに、業界初という企業向けSSDの新モデル、2.5インチNVMe SSD『XS1715』も発表。PCI-E2.0接続のSSDより2倍速いPCI-E3.0と組み合わせると、従来のSATA SSDよりも10倍以上速くなるといいます。

　XS1715の実機も展示。インターフェース部分が特徴的です。

　会場には今話題の“M.2”規格のSSDも展示。すでに知られているように、ソニーのVAIO Proはサムスン製M.2 SSDを選択でき、PCI-E接続により高速なアクセス性能を実現しています。
　
　

　840 EVOの実力は追って検証したいと思います。