従来のCMOSでは画素の読み出し速度の限界から、高速で横切りる被写体などが歪むことがあった（左）。新開発のCMOSでは読み出し速度を高速化し、しっかりと止まった映像を撮影できる
ソニーは2月7日、業界初のDRAMを積層した3層構造積層型CMOSイメージセンサーを開発したと発表した。
従来の裏面照射型CMOSセンサー（画素部と信号処理部の2層）に加え、DRAMを積層したもので、従来のCMOSセンサーで生じていた動きの速い被写体での歪みをなくすことができる。
これまでの裏面照射型CMOSセンサーの2層構造に、新たにDRAMを作り込んでいる
従来のCMOSでは、画素に蓄積された電荷の読み出し速度の問題から、高速で動く被写体が歪んでしまったり速いパン・チルトで映像が波打つという問題があった。読み出し信号回路を二重化するなどの工夫がされていたが、信号速度の制約から一定以上の読み出し速度の実現は難しかった。
ソニーの新CMOSでは、読み出した画素をいったんDRAMに保存してから読み出すため、1920×1080ドットの画像でも毎秒最大1000フレームという従来の8倍の速度で撮影できるという。撮像素子は有効2120万画素（5520×3840ドット）、4K映像を60fpsで撮影可能。
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