ソニーセミコンダクタソリューションズは12月16日、世界初とする2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功したと発表した。
構造のイメージ図
これまで同一基板上で形成していたフォトダイオードと画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層することで、従来比およそ2倍の飽和信号量を確保し、ダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現し、撮像特性を大幅に向上したという。
本技術が採用する画素構造は、従来の画素サイズに加えて、今後の更なる微細画素においても、画素特性の維持・向上を可能にするとしている。
詳細についてはこちらも参照。なお、本成果は12月11日から開催されているIEDM（国際電子デバイス会議）において発表された。
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