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第805回

1万5000以上のチップレットを数分で構築する新技法SLTは従来比で100倍以上早い！　IEDM 2024レポート

　昨年12月7日～11日にかけ、サンフランシスコでIEDM(International Electron Device Meeting) 2024が開催された。前回と前々回に続いてこの内容について取り上げたい。

　第3弾の今回は、Selective Layer Transfer。正式な名称は31-5の"Selective Layer Transfer: Industry First Heterogeneous Integration Technology Enabling Ultra-Fast Assembly & Sub-1um Chiplet Thickness for Next Generation AI & Compute Applications"という長いものである。

2枚のウェハーを重ねて接着して
1万5000以上のチップレットを数分で構築

　インテルのプレビューでのスライドが下の画像だが、そもそもこれはなに？　というものだった。

1枚のウェハー上に、1万5000以上のチップレットを数分で構築するための手法ということになる

　この発表は、非常に小さなチップレット(それこそ上の画像にあるような1mm角のもの)を、きわめて高速にWafer on Waferの技法で、構築するのに赤外線レーザーを利用する、という内容である。

　前回も触れたが、Hybrid Bondingは極めて有望なチップレットのための接続技術である。その一方で、「2つのダイの接続面が正しい位置関係にないと、うまく信号が伝わらないことになる。このための位置合わせの精度は1μm未満でないといけないわけで、これに猛烈な手間(とコスト)が掛かる」という問題が付きまとう。

　特に難しいのは、チップレットのためのダイを一旦ウェハーから切り出し、改めて接続面をキレイにしたり、正確にインターポーザーなり別のダイなりとの位置を合わせて積層する作業である。

　そもそも1mm角のチップレットの正確な位置合わせや、1mm角のチップのクリーニング、表面研磨という作業がとても難易度が高い。研磨にせよ位置合わせにせよ、1mm角という小さなダイに対して行なうことそのものが難易度を無駄に引き上げている。

　加えるなら、300mmウェハーで1mm角のダイを取った場合、4万9000個弱(切り代0.2mmの場合)ものダイが取れる。ということはこの面倒な作業をウェハー1枚あたり4万9000回も繰り返すことになる。「数時間から数日」という上の画像の表現は大げさなものとは言いにくい。

　こうした工程を効率化するために、WoW(Wafer on Wafer)の技法が提案されているわけだ。クリーニングなどはウェハー単位となるため、ダイ1個のクリーニングよりは時間がかかるにしても、4万9000回繰り返すよりは圧倒的に短時間で済む。位置合わせも、ウェハー単位で1回やればいいので、こちらも圧倒的に短時間である。

このスライドではCoW(Chip on Wafer)やWoW(Wafer on Wafer)の代わりにC2W(Chip to Wafer)/W2W(Wafer to Wafer)としているが、意味は同じである

　ただ従来のWoWの問題は、「同じサイズのダイでないと積層できない」ことだった。要するに2枚のウェハーを重ねて接着後に、まとめてダイシング(切り出し)をするから異なるサイズのものは載せられない。これはチップレットには少し使いにくい制約であった。今回の論文はこれに対する解決法を提案するものである。