ウエスタンデジタルとキオクシアは2月18日、第6世代となる162層3次元フラッシュメモリー技術を開発したと発表した。
両社の20年にわたるジョイントベンチャーパートナーシップにおける次のマイルストーンとして、現時点で最高集積度の最先端3次元フラッシュメモリー技術となるとしている。
従来の8列配置したメモリーホールアレイよりも先進的な構造を採用。第5世代技術と比較して、平面方向のセルアレイ密度を最大10％向上。この平面方向のスケーリングの進化と162層を垂直方向に積層したメモリーを組み合わせることで112層の第5世代と比較してダイサイズを40％削減。コストを最適化することができたという。
Circuit Under Array CMOS配置技術と4プレーン動作を採用することで、前世代と比較して書き込み性能が2.4倍近く向上。読み出しレイテンシーは10％短縮したとしており、I／O性能も66％向上したことで次世代のインターフェースに準拠。高まる転送速度の高速化ニーズへの対応するとしている。
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