米ウエスタンデジタルは7月24日（現地時間）、1セル4ビット（Quad Level Cell : QLC）のフラッシュメモリー技術「X4」を64ビット3D NANDで開発することに成功したと発表した。
同社は過去に2D NANDのQLCを開発しており、今回の技術はこれを基にしたもの。第3世代にあたる「BiCS3」アーキテクチャーで開発され、従来の512ギガビットTLCチップの50％増加となる768ギガビット（96GB）のストレージ容量を1チップで提供するという。
6月には次世代アーキテクチャー「BiCS4」を用いた96層のTLC 3D NANDを発表した同社。将来的にはこの96層BiCS4にもQLC NANDを搭載する予定としている。
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