クアルコムとサムスン電子は、クアルコムの次世代プレミアムスマホ用SoC「Snapdragon 835」を、サムスン電子の10nm FinFETプロセス技術を用いて製造すると発表した。
サムスン電子の10nm FinFETプロセス技術は、今年10月に半導体業界では初めて量産を開始したとアナウンスしたばかり。既存の14nm FinFETプロセスと比較すると、27％の性能アップと40％の省電力化により、面積当たりの効率は30％向上しているという。Snapdragon 835はこのプロセス技術を用いることでチップの小型化を実現し、実際の端末メーカーはより長いバッテリー駆動時間とスリムなデザインが実現できるとする。
また、Snapdragon 835では進化した充電技術である「Quick Charge 4」もサポートする。Quick Charge 4は、5分の充電で5時間以上使えるという目標をもとに開発。「Dual Charge」と呼ばれる技術を用い、Quick Charge 3と比較して、20％高速かつ30％効率的な充電が可能になる。
Snapdragon 835が搭載された端末のリリースは、2017年前半が予定されている。
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